钰泰推出ETA8076快充原边控制器：支持DCM和QR双模、恒功率技术

随着苹果和三星及小米在智能手机行业为了环保陆续不再购买手机随配充电器以来，第三方PD充电器市场已经火爆。但世界范围内的半导体晶圆缺货已成定局，各种因素都在影响上游晶圆产能导致供不应求，价格上涨。

在进口芯片大面积涨价时，国产芯片已经登上舞台，以高性价比，可持续供货稳定发展！钰泰半导体做为一家100%纯内资高科技企业，凭借稳定的行业内顶尖多年经验设计人员，多达几十个发明专利，且与各成熟的模拟领域顶尖Fab厂商保持了多年良好的合作关系，保证稳定充足的晶圆供应，先后推出了专为苹果20W PD方案设计的ACDC控制器ETA8056，专为三星25W PD方案设计的ACDC控制器ETA8058，现重磅推出SOT23-6脚位高频准谐振（Quasi-Resonant）控制器ETA8076，专为小体积高功率密度，高性价比的20-65W功率段PD电源系统量身打造。

当前氮化镓GaN方案已经成为高功率密度的主流电源快充方案，然而仍然存在成本高、制造难、货源少等等问题。而超级结硅功率管国内具备成熟的生产工艺，相对稳定的货源供应，最重要的是成本低很多，在往后很长一段时间内仍将占领市场。

钰泰ETA8076的推出，是专为超级硅功率管实现高频小体积高性价比的电源方案量身打造的，衔接二代硅工艺与第三代半导体的中间产物。同时钰泰半导体将在不久的将来，推出300kHz开关频率的GaN驱动控制芯片ETA8078，采用先进的ZVS搭配QR控制方式实现GaN高功率密度的PD电源。

下图是钰泰半导体ETA8076搭配东微超级硅MOS管系列组成的60W PD快充系统方案电路示意图，其中ETA7913是钰泰一款PD协议芯片，支持多种协议PD3.0、PPS、QC2.0/3.0、FCP、SCP、AFC、Apple2.4A、BC1.2、VOOC等握手芯片，同时具备调压和恒流功能（在本例中恒流功能不需要）。ETA8001是钰泰一款支持DCM/QR/CCM多种模式耐压120V的同步整流芯片,将在近期推出。

可以看到ETA8076管脚采用和市场大部分芯片相同的排列顺序，基本上只需调试更改少量外围参数便可兼容客户目前现有的方案，简单易用。

钰泰ETA8076具备恒流恒压及恒功率模式，适合不同功率段的PD电源系统，不需协议芯片恒流从而减少了检流电阻的损耗提高系统效率。芯片独有的准谐振谷底导通技术，控制平均频率算法，相邻谷底随机导通结合频率抖动技术，有效降低传导EMI干扰。

钰泰ETA8076采用超宽电压7-77V的Vcc设计，满足QC/PD多重输出电压的的设计要求。采用高频（最高130kHz）电流断续模式DCM结合准谐振QR控制方式，减小系统体积，降低尖峰电压从而优化整个系统成本。采用脉冲触发式模式（Burst Mode）控制来降低空载待机的功耗以满足各种能效的待机功耗要求。

通过高低压分频以及频率折返（Frequency Fold-back）技术来帮助系统轻易的达到美国的能效标准DOE（Department of Energy）六级或欧盟能效标准COC V5（Code of Conduct）的平均效率要求。

钰泰ETA8076集成软启动电路，用于保护系统启动时各开关器件（主要是开关管，变压器，整流肖特基），减小开关应力，也使输出电压上升没有过冲电压出现。同时集成快速启动电路，用于保证系统在大容性负载时也能顺利启动，在无容性负载时得到更短的输出电压上升时间。

钰泰ETA8076集成峰值电流补偿电路，检测电阻网络Rvd1和Rvd2可根据实际情况调整，使高低压时恒流点保持恒定；支持低压大占空比DCM纯QR模式工作,同时也保证系统各种情况下（包括启动）DCM模式工作，防止系统进入CCM时各种高电压尖峰产生。

芯片具备全系列保护模式，集成输入欠压过压，输出欠压过压，输出短路，绕组短路，Rcs电阻短路开路，过温等各种错误保护功能，一旦芯片触发保护都进入打嗝模式，打嗝模式里芯片集成独有的高低压时间补偿电路，维持打嗝周期一致，大大降低高压时输入的损耗（输入功率），同时减少了大量的无效开关周期，减小各开关器件的开关应力。

实际样机如下：

例举大家关心的样机效率实测数据如下：

EMI部分测试数据：

想要了解更多更全面的ETA8076应用设计信息及性能介绍，可联系原厂销售：

钰泰半导体南通有限公司  吴生

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